×åì îòëè÷àþòñÿ ìîäóëè ïàìÿòè?
Ìíîãèå ïîëüçîâàòåëè äóìàþò, ÷òî DDR400 âñåãäà íà ìíîãî áûñòðåå, ÷åì DDR333.  îáùåì, ýòî ïðàâäà, íî äàëåêî íå âñå çíàþò, ÷òî ìîäóëè ñ îäèíàêîâîé ÷àñòîòîé DDR ìîãóò ñèëüíî îòëè÷àòüñÿ ïî ïðîèçâîäèòåëüíîñòè.  ïåðâóþ î÷åðåäü, ïðîèçâîäèòåëüíîñòü ìîäóëåé ïàìÿòè çàâèñèò îò òàê íàçûâàåìûõ «òàéìèíãîâ ïàìÿòè». Ñóùåñòâóåò ìíîæåñòâî ðàçëè÷íûõ ïàðàìåòðîâ, êîòîðûå çàäàþò òàéìèíãè ïàìÿòè, íî ÷àùå âñåãî èñïîëüçóþòñÿ ÷åòûðå èç íèõ: CAS Latency, RAS-CAS çàäåðæêà (tRCD), RAS Precharge (tRP) è tRAS (ïðîäîëæèòåëüíîñòü öèêëà). Åñëè âû óâèäèòå íà ìîäóëÿõ îáîçíà÷åíèÿ: 2.0-2-2-5 èëè 3.0-4-4-7, ìîæåòå íå ñîìíåâàòüñÿ, ýòî óïîìÿíóòûå ÷åòûðå ïàðàìåòðà. Âûÿñíèì, ÷òî ïðåäñòàâëÿåò ñîáîé êàæäûé èç íèõ. 1. CAS Latency – ýòî çàäåðæêà â òàêòàõ ìåæäó ïîëó÷åíèåì êîìàíäû ÷òåíèÿ è îêîí÷àíèåì åå âûïîëíåíèÿ. Ñòàíäàðòíûå çíà÷åíèÿ äëÿ ïàìÿòè DDR – 2 è 2,5 òàêòà.  íåêîòîðûõ ñèñòåìàõ âîçìîæíû çíà÷åíèÿ 3 èëè 1,5. Íàïðèìåð, CAS Latency 2 îçíà÷àåò, ÷òî äàííûå áóäóò ïîëó÷åíû òîëüêî ÷åðåç äâà òàêòà ïîñëå ïîëó÷åíèÿ êîìàíäû Read. 2. Çàäåðæêà RAS-CAS èçâåñòíà êàê tRCD. Ýòî çàäåðæêà â òàêòàõ ìåæäó ïîëó÷åíèåì êîìàíäû Active è âûïîëíåíèåì ñëåäóþùåé çà íåé êîìàíäû Read èëè Write (÷òåíèÿ èëè çàïèñè). Îáû÷íî, ýòî 2, 3 èëè 4 òàêòà. 3. RAS Precharge. Ýòî çàäåðæêà â òàêòîâûõ öèêëàõ ñ ìîìåíòà ïîëó÷åíèÿ êîìàíäû Precharge äî âîçìîæíîñòè âûïîëíåíèÿ ñëåäóþùåé çà íåé êîìàíäû Active. Îáû÷íûå çíà÷åíèÿ äëÿ ýòîãî ïàðàìåòðà 2, 3 èëè 4 òàêòà. 4. tRAS îòîáðàæàåò ìèíèìàëüíóþ çàäåðæêó ìåæäó êîìàíäàìè Active è Precharge. Èçìåðÿåòñÿ òîæå â òàêòàõ è îáû÷íî èìååò çíà÷åíèå îò 5 äî 10. ×åòâåðêó ýòèõ ïàðàìåòðîâ, êàê ïðàâèëî, ìîæíî èçìåíÿòü â ðàçäåëå BIOS “Advanced Chipset”, íî âïîëíå âîçìîæíî, ÷òî ïðîèçâîäèòåëè âàøåé ìàòåðèíñêîé ïëàòû ðåøèëè ïîìåñòèòü ýòè íàñòðîéêè êóäà-íèáóäü â äðóãîé ðàçäåë. Âû óæå ìîãëè çàìåòèòü, ÷òî ýòî çàäåðæêè, ïîýòîìó, ÷åì ìåíüøå çíà÷åíèÿ òàéìèíãîâ, òåì âûøå ïðîèçâîäèòåëüíîñòü ïàìÿòè. Íàïðèìåð, ìîäóëü ñ ëàòåíòíîñòüþ CAS 2,5 äîëæåí ðàáîòàòü ëó÷øå, ÷åì ñ ëàòåíòíîñòüþ 3,0. |