О памяти для платформы Core 2 Duo

О памяти для платформы Core 2 Duo

Относительно быстрая память в Core 2 Duo системах может быть востребована в первую очередь именно оверклокерами.

При увеличении частоты шины FSB свыше номинальных значений увеличение частоты памяти начинает играть гораздо более весомую роль в общем быстродействии системы, чем это происходит при эксплуатации платформы в штатном режиме.

От применения в системе DDR2-800 SDRAM и разгоне частоты FSB до 400 МГц позволит получить вполне осязаемый выигрыш.
Однако дальнейший рост частоты памяти до 1000 МГц не приведет к заметному росту производительности системы в целом, так как общая пропускная способность магистрали процессор-память ограничивается пропускной способностью процессорной шины.

Необходимо отметить достаточно высокую эффективность алгоритмов предварительной выборки, реализованных в процессорах Core 2 Duo.
Благодаря им, платформы с этими CPU имеют возможность на равных соперничать в латентности доступа к данным с Socket AM2 Athlon 64 системами, снабжёнными встроенным контроллером памяти.

Однако подсистема памяти Core 2 Duo систем, включающая внешний, расположенный в северном мосту набора логики контроллер памяти, не может конкурировать по общей эффективности с подсистемой памяти Socket AM2 систем.
Проблема заключается в том, что платформы, основанные на процессорах Core 2 Duo, не могут обеспечить столь же высокую пропускную способность памяти.

Пропускная способность памяти в Core 2 Duo системах оказывается ограниченной не столько характеристиками использованных в её основе модулей DDR2 SDRAM, сколько полосой пропускания шины, соединяющей процессор с северным мостом чипсета.
Из-за этого, в частности, при работе Core 2 Duo систем в штатном режиме изменение частоты и таймингов памяти влияет на производительность достаточно слабо.
Тем не менее, это влияние всё же существует, и в первую очередь на скорость подсистемы памяти оказывает влияние частота памяти, а лишь затем — тайминги.

Если использовать память с минимально возможными таймингами, в синхронном режиме практически всегда можно добиться более высокой производительности, чем в любых других вариантах.

Таким образом, при разгоне частоты FSB до 400 МГц оптимальным выбором станет DDR2-800 SDRAM с низкими таймингами, а выше — уже DDR2-1000 или DDR2-1067 SDRAM.
Ещё одним аргументом в пользу синхронного тактования памяти и процессорной шины при разгоне является и то, что делитель 1:1 работает в большинстве случаев (на большинстве материнских плат) наиболее стабильно.

^