Как разогнать оперативную память

Как разогнать оперативную память

1. Разогнанный процессор в паре с неразогнанной памятью не даст максимальной производительности.
2. Пример приводится по разгону «обычной» DDR-памяти.
Но если у вас, например, CeleronD и память DDRII, то сам процесс остается таким же.
Изменяются лишь параметры частот и таймингов (память DDRII работает на более высоких частотах с более высокими таймингами).

Разгон по частоте

1. Заходим в BIOS, нажав и удерживая клавишу «Delete» [Del] в начальный момент загрузки системы (до экрана загрузки Windows).

2. «Advanced Chipset Features» — «DRAM Configuration» — это вкладка редактирования параметров таймингов памяти.
Далее в каждой строчке вместо AUTO ставим то число, которое справа от черточки.
«Row Cycle Time (tRC)» — 12.
«Row Refresh Cycle Time (tRFC)» — 16.
Другие таймиги должны быть выставлены для частоты 400 MHz.
«Power Bios» — «Memory Frequency» — DDR333 (166 MHz).

3. Далее при помощи программ S&M (тест памяти), Memtest 1.65 или 3D Mark 2001 (подходит лучше, чем более новые версии) тестируем память на ошибки.

Если тесты не пройдены или выскакивают сообщения об ошибках памяти:

— поднимаем напряжение памяти
«Power Bios» — «Memory Voltage» — 2.9v (3.0v).

Опять прогоняем тесты.
— снижаем делитель
«Power Bios» — «Memory Frequency» — DDR266 (133 MHz) и опять тестируем в Windows, но после этого, обычно память уже работает стабильно.

Например, множитель процессора 9, разгон 2700 MHz, память выставлена, как DDR333.
Следовательно, 2700 делим на 11.
Результат — 245 MHz т.е. 490 MHz DDR.

Следует выделить еще один тип разгона: с понижением множителя (и повышением частоты шины), для того, чтобы найти наиболее оптимальную частоту памяти.

Разгон по таймингам

Иногда разгон по таймингам дает лучшие результаты, чем разгон по частоте.
Так что следует проверить и первый, и второй варианты.
Также увеличение основных таймингов ведет к приросту разгона по частоте.

«Advanced Chipset Features» — «DRAM Configuration 1T\2T Memory Timing» - «1T».
Тестируем в Windows.

Основные тайминги памяти:
CAS# Latency (CL) —> 2.5T (для более дорогой памяти можно 2.0).
RAS# To CAS# Delay (tRCD) —> 3T.
RAS# Precharge (tRP) —> 3T.
Cycle time (Tras) —> 7T.

Тайминги можно выставить и ниже приведенных значений — все зависит только от способностей вашей памяти.
А проверить это можно только тестированием в тестовых пакетах и реальных приложениях.
Для недорогой памяти (Digma/NCP/PQI) на частотах выше 400 MHz основные тайминги желательно выставить, как 3.0-4-4-8 соответственно.

Опять тестируем в Windows.
Если стабильности нет, повышаем напряжение на памяти, увеличиваем тайминги.
Так как сложно подобрать память (даже одинаковую модель), которая работала бы так же, как, например, в тестах, следует самостоятельно выбрать именно ту частоту и те тайминги, на которых была бы полная стабильность.