Тайминги памяти оперативной памяти

Чем отличаются модули памяти?

Многие пользователи думают, что DDR400 всегда на много быстрее, чем DDR333.
В общем, это правда, но далеко не все знают, что модули с одинаковой частотой DDR могут сильно отличаться по производительности.
В первую очередь, производительность модулей памяти зависит от так называемых «таймингов памяти».

Существует множество различных параметров, которые задают тайминги памяти, но чаще всего используются четыре из них: CAS Latency, RAS-CAS задержка (tRCD), RAS Precharge (tRP) и tRAS (продолжительность цикла).

Если вы увидите на модулях обозначения: 2.0-2-2-5 или 3.0-4-4-7, можете не сомневаться, это упомянутые четыре параметра.
Выясним, что представляет собой каждый из них.

1. CAS Latency — это задержка в тактах между получением команды чтения и окончанием ее выполнения.
Стандартные значения для памяти DDR — 2 и 2,5 такта.
В некоторых системах возможны значения 3 или 1,5.
Например, CAS Latency 2 означает, что данные будут получены только через два такта после получения команды Read.

2. Задержка RAS-CAS известна как tRCD.
Это задержка в тактах между получением команды Active и выполнением следующей за ней команды Read или Write (чтения или записи).
Обычно, это 2, 3 или 4 такта.

3. RAS Precharge.
Это задержка в тактовых циклах с момента получения команды Precharge до возможности выполнения следующей за ней команды Active.
Обычные значения для этого параметра 2, 3 или 4 такта.

4. tRAS отображает минимальную задержку между командами Active и Precharge.
Измеряется тоже в тактах и обычно имеет значение от 5 до 10.

Четверку этих параметров, как правило, можно изменять в разделе BIOS «Advanced Chipset», но вполне возможно, что производители вашей материнской платы решили поместить эти настройки куда-нибудь в другой раздел.

Вы уже могли заметить, что это задержки, поэтому, чем меньше значения таймингов, тем выше производительность памяти.
Например, модуль с латентностью CAS 2,5 должен работать лучше, чем с латентностью 3,0 .